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J-GLOBAL ID：200902211616636165   整理番号：08A0674381

流体自己集合により作製したGaAs SOI HEMT

A GaAs SOI HEMT Fabricated by Fluidic Self-Assembly and Its Application to an RF-Switch

著者 (5件)： MAEZAWA Koichi (Univ. Toyama, Toyama-shi, JPN) ,  SOGA Ikuo (Nagoya Univ., Nagoya-shi, JPN) ,  KISHIMOTO Shigeru (Nagoya Univ., Nagoya-shi, JPN) ,  MIZUTANI Takashi (Nagoya Univ., Nagoya-shi, JPN) ,  AKAMATSU Kazuhiro (Nippon Mining & Metals Co., Ltd., Toda-shi, JPN)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E91-C  号： 7  ページ： 1025-1030  発行年： 2008年07月01日 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 流体自己集合(FSA)方法を用いて,ポリイミド被覆AlNセラミック基板上へのGaAs高電子移動度トランジスタ(HEMT)の異質集積化を実現した。諸利点を有する,FSA用薄型素子ブロックを用いた。特に,その基板が低誘電率を持つ場合,それらの素子ブロックは集積化HEMTのドレイン-ソース間容量(C_ds)を低減することが可能である。これは,新規のシリコン-オン-絶縁膜(SOI)技術である。ポリイミド/AlN基板上GaAs HEMTのdcとRF特性について調べ,C_dsの低減を確認した。低C_dsが良好な分離に不可欠である,単極双投(SPDT)スイッチにこの方法を適用することに成功した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *HEMT ,  *ヒ化ガリウム ,  *SOI構造 ,  スイッチ ,  ポリイミド ,  窒化アルミニウム ,  電流電圧特性 ,  挿入損 ,  流体素子 ,  実装 ,  SPDTスイッチ
準シソーラス用語： 流体自己集合

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (4件)：

• MORRIS, C. J. Self-assembly for microscale and nanoscale packaging : Steps toward self-packaging. IEEE Trans. Adv. Packag. 2005, 28, 4, 600-611
• YEH, H.-J. J. Fluidic self-assembly for the integration of GaAs light-emitting diodes on Si substrates. IEEE Photonics Technol. Lett. 1994, 6, 6, 706-708
• SOGA, I. Fluidic assembly of thin GaAs blocks on Si substrates. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, 2226-2229
• SOGA, I. Direct integration of GaAs HEMT on AlN ceramic substrates using fluidic self-assembly. Electron. Lett. 2005, 41, 1275-1276

タイトルに関連する用語 (6件)： 流体 ,  自己集合 ,  作製 ,  GaAs ,  SOI ,  HEMT