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J-GLOBAL ID：200902211703388577   整理番号：08A0441151

(775)B InP基板上にMBE成長した1.55μm帯面発光レーザ用InGaAs量子細線の解析 2

著者 (7件)： 松木豊和 (愛大 大学院) ,  今津晋二郎 (愛大 大学院) ,  下村哲 (愛大 大学院) ,  毛利如良 (愛大 大学院) ,  尾崎信二 (大阪大 大学院) ,  藤田剛也 (大阪大 大学院) ,  笹畑圭史 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 3  ページ： 1459  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 基板 ,  リン化インジウム ,  MBE成長 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *量子細線 ,  半導体レーザ ,  *面発光レーザ ,  光ポンピング ,  透過型電子顕微鏡 ,  *光ルミネセンス ,  半値幅 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： 光励起

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： InP ,  MBE成長 ,  面発光レーザ ,  InGaAs ,  量子細線 ,  解析