文献
J-GLOBAL ID：200902212010526050   整理番号：06A0643009

Si電気化学エッチングを用いる高アスペクト比アレイ構造の加工

Fabrication of high-aspect-ratio arrayed structures using Si electrochemical etching
著者 (2件)：
SATO Hirotaka

SATO Hirotaka について

(Dep. of Applied Chemistry, Waseda Univ., Okubo, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, 169-8555, JPN)

Dep. of Applied Chemistry, Waseda Univ., Okubo, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, 169-8555, JPN について

, 
HOMMA Takayuki

HOMMA Takayuki について

(Dep. of Applied Chemistry, Waseda Univ., Okubo, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, 169-8555, JPN)

Dep. of Applied Chemistry, Waseda Univ., Okubo, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, 169-8555, JPN について


資料名：
Science and Technology of Advanced Materials  (Science and Technology of Advanced Materials)

Science and Technology of Advanced Materials について


巻： 7  号： 5  ページ： 468-474  発行年： 2006年07月 
JST資料番号： W1262A  ISSN： 1468-6996  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
この文献は精密電気化学エッチングプロセスを用いて三次元構造,...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
*電解エッチング

電解エッチング について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
アレイプロセシング

アレイプロセシング について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A0643009&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W1262A") }}
分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
Si

Si について

, 
電気化学エッチング

電気化学エッチング について

, 
高アスペクト比

高アスペクト比 について

, 
アレイ

アレイ について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM