抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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インバータなどに用いられるパワーデバイスとして,ワイドバンドギャップ半導体であるGaNを用いて,ノーマリオフ化と低オン抵抗化を両立したパワートランジスタ(GIT:Gate Injection Transistor)を開発した。従来のAlGaN/GaN FET(Field Effect Transistor)ではノーマリオフ化が課題であったが,GITではp型ゲートによりゲート直下のチャネル部の電位を持ち上げて電子を枯渇させ,ノーマリオフ特性を実現した。さらに,p型ゲートからチャネル部へホール注入させて伝導度変調を引き起こすことにより,チャネル抵抗を低減した。作製したGITは,閾値(しきいち)が+1Vと良好なノーマリオフ特性を示し,最大ドレイン電流が200mA/mm,オン抵抗2.6mΩcm
2,耐圧800Vと,これまでに報告されたノーマリオフ型GaNトランジスタの中で最も優れた値を得ることができた。(著者抄録)