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J-GLOBAL ID：200902212342323501   整理番号：09A0761950

GaNパワーデバイス

GaN-Based Power Devices

著者 (6件)： 引田正洋 (パナソニック) ,  柳原学 (パナソニック) ,  上本康裕 (パナソニック) ,  上田哲三 (パナソニック) ,  田中毅 (パナソニック) ,  上田大助 (パナソニック)
資料名： パナソニック技報  (Panasonic Technical Journal)
巻： 55  号： 2  ページ： 91-95  発行年： 2009年07月15日 
JST資料番号： G0474A  ISSN： 1883-115X  CODEN： PGAIBU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： インバータなどに用いられるパワーデバイスとして,ワイドバンドギャップ半導体であるGaNを用いて,ノーマリオフ化と低オン抵抗化を両立したパワートランジスタ(GIT:Gate Injection Transistor)を開発した。従来のAlGaN/GaN FET(Field Effect Transistor)ではノーマリオフ化が課題であったが,GITではp型ゲートによりゲート直下のチャネル部の電位を持ち上げて電子を枯渇させ,ノーマリオフ特性を実現した。さらに,p型ゲートからチャネル部へホール注入させて伝導度変調を引き起こすことにより,チャネル抵抗を低減した。作製したGITは,閾値(しきいち)が+1Vと良好なノーマリオフ特性を示し,最大ドレイン電流が200mA/mm,オン抵抗2.6mΩcm²,耐圧800Vと,これまでに報告されたノーマリオフ型GaNトランジスタの中で最も優れた値を得ることができた。(著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  バンドギャップ ,  *電力トランジスタ ,  P型半導体 ,  ゲート【半導体】 ,  閾値 ,  オン抵抗 ,  *電力変換器 ,  *スイッチング素子 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： GIT

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (7件)：

• S. Yoshida, et al.: A high-power AIUaN/tiaN heteroJunction field-effect transistor. Solid-State Electron 47, p. 589(2003).
• S. Iwakami, et al.: AIGaN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) on Si substrates for large-current operation. Jpn. Appl. Phys.43, p. L831(2004).
• M. Hikita, et al.: AIGaN/GaN power HFET on silicon substrate with source-via grounding (SVG) structure. IEEE Trans. Electron Devices 52, No.9, p. 1963(2005).
• N. Ikeda, et al.: Normally-off operation power AIGaN/GaN HFET. Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs, p. 369(2004).
• W. Saito, et al.: Recessed-gate structure approach toward normally off high-voltage AIGaN/GaN HEMT for power electronics applications. IEEE Trans. Electron Devices 53, No.2, p. 356(2006).

タイトルに関連する用語 (1件)： GaNパワーデバイス