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J-GLOBAL ID：200902213301551385   整理番号：03A0875523

希ガス希釈下の低温における表面波プラズマ酸化

Surface Wave Plasma Oxidation at Low Temperature under Rare Gas Dilution

著者 (4件)： GOTO M (Advanced LCD Technol. Dev. Center Co., Ltd., Yokohama, JPN) ,  AZUMA K (Advanced LCD Technol. Dev. Center Co., Ltd., Yokohama, JPN) ,  OKAMOTO T (Advanced LCD Technol. Dev. Center Co., Ltd., Yokohama, JPN) ,  NAKATA Y (Advanced LCD Technol. Dev. Center Co., Ltd., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42  号： 11  ページ： 7033-7038  発行年： 2003年11月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリシリコン誘電体のゲート薄膜トランジスタ(TFT)を形成す...

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,...
準シソーラス用語： 電子衝撃

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分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体プラズマ  (BM02160W) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (13件)：

• 1) Y. Nakata, T. Okamoto, T. Hamada, T. Itoga and Y. Ishii: Proc. Asia Display/IDW01, Nagoya, 2001, p. 375.
• 2) T. Nishiguchi, H. Nonaka, S. Ichimura, Y. Morikawa, M. Kekura and M. Miyamoto: Ext. Abstr. SSDM, 2002, p. 458.
• 3) T. Fuyuki, T. Oka and H. Matsunami: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 440.
• 4) T. Yamamoto, N. T. Chien, M. Ando, N. Goto, M. Hirayama and T. Ohmi: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 2082.
• 5) H. Sugai, I. Ganashev and M. Nagatsu: Plasma Sources Sci. Technol. 7 (1988) 192.

タイトルに関連する用語 (5件)： 希ガス ,  希釈 ,  低温 ,  表面波プラズマ ,  酸化