Cl2/SF6/Arの誘導結合プラズマによるTaN/HfO2ゲート積層構造のドライエッチング

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J-GLOBAL ID：200902213599751888 整理番号：05A0719766

Cl₂/SF₆/Arの誘導結合プラズマによるTaN/HfO₂ゲート積層構造のドライエッチング

Dry Etching of TaN/HfO₂ Gate Stack Structure by Cl₂/SF₆/Ar Inductively Coupled Plasma

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資料名：
巻： 44 号： 7B ページ： 5811-5818 発行年： 2005年07月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

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固体デバイス製造技術一般

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