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J-GLOBAL ID：200902214018661154   整理番号：04A0035419

rfマグネトロンスパッタリングにより堆積したすずドープ酸化インジウム及び酸化インジウム亜鉛の構造と内部応力の比較研究

Comparative study on structure and internal stress in tin-doped indium oxide and indium-zinc oxide films deposited by r.f. magnetron sputtering

著者 (8件)： SASABAYASHI T (Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN) ,  ITO N (Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN) ,  NISHIMURA E (Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN) ,  KON M (Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN) ,  SONG P K (Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN) ,  UTSUMI K (Tosoh Corp., Kanagawa, JPN) ,  KAIJO A (Idemitsu Kosan Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  SHIGESATO Y (Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 445  号： 2  ページ： 219-223  発行年： 2003年12月15日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： すずドープ酸化インジウム(ITO)及び酸化インジウム亜鉛(I...

シソーラス用語： *酸化インジウム ,...
準シソーラス用語： ITO【固溶体】 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (8件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  堆積 ,  すず ,  ドープ ,  酸化インジウム ,  酸化インジウム亜鉛 ,  内部応力 ,  研究