文献

J-GLOBAL ID：200902214615139698   整理番号：06A0412200

カーボンナノチューブの抵抗評価と合成

Resistance Evaluation and Growth of Carbon Nanotubes

著者 (5件)： 二瓶史行 (NEC 基礎・環境研) ,  本郷廣生 (NEC 基礎・環境研) ,  石田真彦 (NEC 基礎・環境研) ,  日浦英文 (NEC 基礎・環境研) ,  落合幸徳 (NEC 基礎・環境研)
資料名： 電気学会論文誌 C  (IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
巻： 126  号： 6  ページ： 720-724  発行年： 2006年06月01日 
JST資料番号： S0810A  ISSN： 0385-4221  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本論文では,カーボンナノチューブ(CNT)のトランジスタ応用...

シソーラス用語： *ナノチューブ ,...
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A0412200&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0810A") }}

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (4件)：

• (1) H. Hongo, F. Nihey, T. Ichihashi, Y. Ochiai, M. Yudasaka, and S. Iijima: “Support materials based on converted aluminum films for chemical vapor deposition growth of single-wall carbon nanotubes”, Chem. Phys. Lett., Vol. 380, pp. 158-164 (2003)
• (2) F. Nihey, H. Hongo, M. Yudasaka, and S. Iijima: “A Top-Gate Carbon-Nanotube Field-Effect Transistor with a Titanium-Dioxide Insulator”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 41, Part 2, No. 10A, pp. L1049-L1051 (2002)
• (3) F. Nihey, H. Hongo, Y. Ochiai, M. Yudasaka, and S. Iijima: “Carbon-Nanotube Field-Effect Transistors with Very High Intrinsic Transconductance”, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42, Part 2, No. 10B, pp. L1288-L1291 (2003)
• (4) M. Ishida, H. Hongo, F. Nihey, and Y. Ochiai: “Diameter-Controlled Carbon Nanotubes Grown from Lithographically Defined Nanoparticles”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 43, No. 10B, pp. L1356-L1358 (2004)

タイトルに関連する用語 (2件)： カーボンナノチューブ ,  評価