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J-GLOBAL ID：200902214789475263   整理番号：08A0483609

マイクロブリッジ相互接続を用いた厚膜SOI MEMS素子のポストCMOS集積技術

POST-CMOS INTEGRATION TECHNOLOGY OF THICK-FILM SOI MEMS DEVICES USING MICRO BRIDGE INTERCONNECTIONS

著者 (8件)： TAKAO H. (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  TAKAO H. (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  ICHIKAWA T. (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  NAKATA T. (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  SAWADA K. (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  SAWADA K. (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  ISHIDA M. (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  ISHIDA M. (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Technical Digest. IEEE Micro Electro Mechanical Systems  (Technical Digest. IEEE Micro Electro Mechanical Systems)
巻： 21st Vol.1  ページ： 359-362  発行年： 2008年 
JST資料番号： W0377A  ISSN： 1084-6999  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高いアスペクト比構造の厚膜SOI MEMS素子は,慣性センサ,静電アクチュエータや容量センサに用いられている。容量センサとしては,CMOS容量検出回路とのモノリシック集積が非常に効果的である。厚膜SOIウェーハとCMOS/MEMSの集積は,その電気的相互接続が問題になる。この論文では,標準のCMOSプロセス後に付加的な3マスクを用いた,厚膜SOI MEMS素子と集積するための新しいプロセスについて述べた。この技術では,高アスペクト比のSOI MEMS素子とCMOS集積回路を,バッチプロセスによるマイクロブリッジ接続で接合した。金属相互接続を電気的に絶縁されたCMOS領域と厚膜SOIの活性領域のMEMS領域間を電気的に接続するため酸化膜ブリッジ構造上に形成した。この技術を厚膜SOIウェーハ上のモノリシックCMOS/MEMSの高密度集積に適用した。

シソーラス用語： *MEMS ,  *SOI構造 ,  アスペクト比 ,  *静電容量 ,  *センサ ,  *CMOS構造 ,  *相互接続 ,  集積回路 ,  バッチ処理 ,  *酸化膜 ,  *懸垂 ,  密度 ,  半導体集積回路
準シソーラス用語： モノリシックIC ,  *懸吊 ,  高密度

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  混成集積回路  (NC03163K) ,  伝送線  (NC04030C)

タイトルに関連する用語 (7件)： マイクロブリッジ ,  相互接続 ,  厚膜 ,  SOI ,  MEMS ,  CMOS ,  集積