文献

J-GLOBAL ID：200902215189576941   整理番号：08A0239468

分子軌道計算を利用したAl合金薄膜の粒界偏析機構の解析

Analysis of Grain Boundary Segregation in Al Alloy Thin Films by Using Molecular Orbital Calculation

著者 (3件)： 浦山恒太郎 (法政大学大学院工学研究科システム工学専攻) ,  森理恵 (三菱マテリアル株式会社) ,  高山新司 (法政大学大学院工学研究科システム工学専攻)
資料名： 日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
巻： 72  号： 3  ページ： 201-205 (J-STAGE)  発行年： 2008年 
JST資料番号： G0023A  ISSN： 0021-4876  CODEN： NIKGAV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 配線薄膜材料における粒界拡散の問題を解決することは,配線の欠陥生成機構の理解と,新規な配線材料の開発に貢献する。本報告では,希薄Al合金でDV-Xα法の計算プログラムを用いて各元素間の結合エネルギーを算出し,その添加元素の粒界偏析挙動を,熱力学的に導かれたMcLeanおよびGuttaman等の粒界偏析理論に基づいて予測した。1)同種原子間ではBond Overlap Population(BOP)で,異種原子間ではHomoレベルで,文献の結合エネルギーと良い直線的相関が見出された。2)計算した相互作用係数α値から,Al合金膜での粒界偏析挙動が予想できた。3)Al合金膜における添加元素の粒界偏析挙動とヒロック発生傾向はよく一致した。

シソーラス用語： *配線 ,  金属薄膜 ,  *アルミニウム合金 ,  マグネトロンスパッタリング ,  蒸着膜 ,  熱処理 ,  銀添加合金 ,  金添加合金 ,  インジウム添加合金 ,  スズ添加合金 ,  濃度依存性 ,  *粒界偏析 ,  *分子軌道計算 ,  粒界拡散 ,  X-α法 ,  結合エネルギー ,  熱力学模型 ,  HOMO ,  Bond数 ,  電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  エネルギー分散蛍光X線分析 ,  相互作用
準シソーラス用語： DV-Xα法 ,  ヒロック

分類 (2件)： 変態組織,加工組織  (WB01030N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (12件)：

• 1) K. P. Rodbell, D. B. Knorr and J. D. Mis: J. Elec. Mat. 22(1993) 597-606.
• 2) K. Takagi, E. Iwamura, T. Ohnishi and K. Yoshikawa: ASIA DISPLAY '95 (1995) 461-464.
• 3) S. Takayama and N. Tsutsui: SSDM '95 (1995) 318-320.
• 4) S. Takayama and N. Tsutsui: J. Vacuum Sci. Technol. B 14(1996) 3257-3262.
• 5) M. Guttmann and D. McLean: Interfacial Segregation, ed. by W. C. Johnson and J. M. Blakely, (ASM, Ohio, 1979) pp. 261-346.

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子軌道計算 ,  Al ,  合金薄膜 ,  粒界偏析 ,  解析