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J-GLOBAL ID：200902215204741857   整理番号：09A0138805

応用を視野においた有機半導体の結晶成長 有機半導体のグラフォエピタキシー

Graphoepitaxy of Organic Semiconductor

著者 (7件)： 池田進 (東北大 原子分子材料科学高等研究機構) ,  和田恭雄 (東洋大) ,  稲葉克彦 (リガク) ,  寺嶋和夫 (東大 大学院新領域創成科学研究科) ,  島田敏宏 (東大 大学院理学系研究科) ,  斉木幸一朗 (東大 大学院新領域創成科学研究科) ,  斉木幸一朗 (東大 大学院理学系研究科)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 35  号： 4  ページ： 243-248  発行年： 2008年 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 面内配向を制御するための方法として導入されたグラフォエピタキシーの有機半導体セキシチオフェンへの適用について報告する。人工的な構造に対する低分子系の薄膜結晶成長に話題を絞った。筆者らが用いた有機半導体はセキシチオフェンであり,分子蒸着法によりその薄膜を成長させた。X線回折および原子間力顕微鏡を用いて薄膜構造を解析し,グラフォエピタキシーが起こることを示した。このような有機分子系でのグラフォエピタキシーの面白さは,基板(特に溝の壁面)と有機分子との相互作用が非常に微妙であるため,溝壁面の科学状態により,相互作用の微妙な違いにより,面内配向方位が異なることである。グラフォエピタキシーの完全度が上がれば電気伝導度の向上につながることを示す基礎データが得られており,それの有機薄膜デバイスへの応用が期待される。

シソーラス用語： *分子配向 ,  *エピタクシー ,  結晶方位 ,  微細構造 ,  *有機半導体 ,  *蒸着 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  *電気伝導率 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： グラフォエピタキシー ,  分子蒸着

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： セキシチオフェン

引用文献 (30件)：

• HOROWITZ, G. Adv. Mater. 1998, 10, 365
• DIMITRAKOPOULOS, C. D. Adv. Mater. 2002, 14, 99
• NEWMAN, C. R. Chem. Mater. 2004, 16, 4436
• CHWANG, A. B. J. Appl. Phys. 2001, 90, 1342
• UEDA, Y. Thin Solid Films. 1998, 331, 216

タイトルに関連する用語 (5件)： 応用 ,  視野 ,  有機半導体 ,  結晶成長 ,  グラフォエピタキシー