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J-GLOBAL ID：200902216273472503   整理番号：03A0706692

移動液相帯域法によって成長させたIn_xGa_1-xAs合金結晶の成長条件を予測するための一次元模型

A one-dimensional model to predict the growth conditions of In_xGa_1-xAs alloy crystals grown by the traveling liquidus-zone method

著者 (5件)： NAKAMURA H (National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN) ,  HANAUE Y (National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN) ,  KATO H (National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN) ,  KINOSHITA K (National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN) ,  YODA S (National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 258  号： 1/2  ページ： 49-57  発行年： 2003年10月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 移動液相帯域(TLZ)法の成長条件を予測するための単純な一次...

シソーラス用語： *ゾーン融解 ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (9件)： 液相 ,  帯域 ,  成長 ,  XAS ,  合金 ,  結晶 ,  成長条件 ,  予測 ,  模型