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J-GLOBAL ID：200902217093459602   整理番号：07A1007654

低温堆積Al₂O₃を用いたSiC MOSFETのアニールによる電気的特性の変化

著者 (5件)： 加藤潤 (東京工大 精密工研) ,  日野史郎 (東京工大 精密工研) ,  三浦成久 (三菱電機) ,  大森達夫 (三菱電機) ,  徳光永輔 (東京工大 精密工研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 68th  号： 1  ページ： 427  発行年： 2007年09月04日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： *4H-SiC ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低温 ,  堆積 ,  Al2O3 ,  SiC ,  MOSFET ,  アニール ,  電気的特性