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J-GLOBAL ID:200902217093459602   整理番号:07A1007654

低温堆積Al2O3を用いたSiC MOSFETのアニールによる電気的特性の変化

著者 (5件):
資料名:
巻: 68th  号:ページ: 427  発行年: 2007年09月04日 
JST資料番号: Y0055A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
金属-絶縁体-半導体構造  ,  トランジスタ 

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