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J-GLOBAL ID：200902217331188450   整理番号：09A1082107

フィールド高信頼化のためのアプローチ

著者 (2件)： 佐藤康夫 (九州工大) ,  梶原誠司 (九州工大)
資料名： 日本信頼性学会誌  (REAJ誌)
巻： 31  号： 7  ページ： 514-519  発行年： 2009年10月01日 
JST資料番号： L2778A  ISSN： 0919-2697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： VLSIの高機能化と高性能化,また製造プロセスの微細化とともに,性能の劣化現象が着目されている。システムに組み込まれたVLSIがフィールドで性能劣化を進行させる中で,その劣化を事前に検知し,障害発生による事故を予防することが重要な課題となりつつある。本論文ではVLSIの劣化に着目して,システムの高信頼化を実現するアプローチについて,最新の研究開発動向を解説・展望する。(著者抄録)

シソーラス用語： *超LSI ,  劣化 ,  信頼性 ,  *改良 ,  精密化 ,  機構 ,  ホットキャリア ,  MOSFET ,  試験
準シソーラス用語： 性能劣化 ,  *信頼性向上 ,  高機能化 ,  高性能化 ,  劣化機構 ,  NBTI ,  フィールド試験

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (17件)：

• SANTARINI, M. 民生向けICの「信頼性」を確保せよ-決め手は設計/製造/品質部門の密な連携. EDN Japan. 2008, 7, 38-44
• International Technology Roadmap for Semiconductors. 2007
• LSIテスティング学会編. 故障現象概論. LSIテスティングハンドブック. 2008, 262-272
• CAO, Y. Reliable Nano-CMOS design : Modeling and Simulation. Asia and South Pacific Design Conference Tutorials, 2009. 1. 2009
• WANG, W. Compact Modeling and Simulation of Circuit Reliability for 65-nm CMOS technology. IEEE Transaction on Device and Material Reliability. 2007, 7, 4

タイトルに関連する用語 (1件)： フィールド