文献
J-GLOBAL ID：200902217983615393
整理番号：05A0214863
不飽和強誘電分極スイッチングを用いた長い保持能力をもつPt/SrBi2Ta2O9/Hf-Al-O/Si電界効果トランジスター
Pt/SrBi2Ta2O9/Hf-Al-O/Si Field-Effect-Transistor with Long Retention Using Unsaturated Ferroelectric Polarization Switching
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著者 (3件)：
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資料名：
巻：
43
号：
11B
ページ：
7876-7878
発行年：
2004年11月30日
JST資料番号：
G0520B
ISSN：
0021-4922
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
金属-絶縁体-半導体構造
, トランジスタ
引用文献 (5件)：
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1) Y. Tarui, T. Hirai, K. Teramoto, H. Koike and K. Nagashima: Appl. Surf. Sci. 113–114 (1997) 656.
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2) S. Migita, K. Sakamaki, H. Ota, S.-B. Xiong, Y. Tarui and S. Sakai: Integr. Ferroelectr. 40 (2001) 1533.
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3) M. Takahashi, H. Sugiyama, T. Nakaiso, K. Kodama, M. Noda and M. Okuyama: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 2923.
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4) S. Sakai and R. Ilangovan: IEEE Electron Device Lett. 25 (2004) 369.
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5) K. Sakamaki, S. Migita, S.-B. Xiong and S. Sakai: unpublished.
タイトルに関連する用語 (9件)：
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