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J-GLOBAL ID：200902219026665578   整理番号：06A0746185

ナノジェットプローブ法により形成したInAs量子ドットの積層化

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著者 (6件)：
大河内俊介

大河内俊介 について

(NEC 基礎・環境研)

NEC 基礎・環境研 について

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杉本喜正

杉本喜正 について

(産業技術総合研)

産業技術総合研 について

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杉本喜正

杉本喜正 について

(筑波大)

筑波大 について

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尾崎信彦

尾崎信彦 について

(筑波大)

筑波大 について

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石川浩

石川浩 について

(産業技術総合研)

産業技術総合研 について

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浅川潔

浅川潔 について

(筑波大)

筑波大 について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 67th  号： 1  ページ： 299  発行年： 2006年08月29日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ヒ化インジウム

ヒ化インジウム について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ナノジェットプローブ法

ナノジェットプローブ法 について

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分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (1件)：
タイトルに関連する用語
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InAs量子ドット

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