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J-GLOBAL ID：200902219095477554   整理番号：09A1209708

紫外光励起オゾンによるSi酸化膜およびCVD-SiO₂膜の二段階酸化膜の界面特性評価

著者 (9件)： 亀田直人 (明電舎) ,  亀田直人 (産業技術総合研) ,  西口哲也 (明電舎) ,  西口哲也 (産業技術総合研) ,  森川良樹 (明電舎) ,  花倉満 (明電舎) ,  牛山智晴 (産業技術総合研) ,  野中秀彦 (産業技術総合研) ,  一村信吾 (産業技術総合研)
資料名： 真空に関する連合講演会講演予稿集
巻： 50th  ページ： 161  発行年： 2009年11月04日 
JST資料番号： L1308A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *光ポンピング ,  *紫外光源 ,  オゾン ,  薄膜 ,  *ケイ素 ,  *酸化膜 ,  *化学蒸着 ,  *蒸着膜 ,  *二酸化ケイ素 ,  酸化 ,  MIS構造 ,  静電容量 ,  電流電圧特性 ,  時間依存性 ,  表面準位 ,  反応時間 ,  状態密度 ,  膜厚
準シソーラス用語： キャパシタンス ,  界面酸化膜 ,  界面準位 ,  *界面特性 ,  *光励起 ,  酸化反応 ,  準位密度 ,  直接酸化膜

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (10件)： 紫外光 ,  励起 ,  オゾン ,  Si ,  酸化膜 ,  CVD ,  SiO2 ,  段階 ,  界面特性 ,  評価