垂直に積層したInAs/Al<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>As自己形成量子ドットの深準位過渡分光法

文献

J-GLOBAL ID：200902219220020065 整理番号：03A0437157

垂直に積層したInAs/Al_0.5Ga_0.5As自己形成量子ドットの深準位過渡分光法

Deep level transient spectroscopy of vertically stacked InAs/Al_0.5Ga_0.5As self-assembled quantum dots

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資料名：
巻： 126 号： 10 ページ： 563-566 発行年： 2003年06月
JST資料番号： H0499A ISSN： 0038-1098 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

巨大な捕獲中心のようにキャリアを捕獲し,放出する量子ドットを...

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半導体結晶の電子構造

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