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J-GLOBAL ID：200902220059041020   整理番号：08A0654705

ホイスカ型低温放出体上のワイドバンドギャップ材料の被覆

Coating of Wide-Band-Gap Material on Whisker-Type Cold Emitter

著者 (7件)： OOKI Satoshi (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  OHSHIO Shigeo (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  NISHINO Junichi (Fukui National Coll. of Technol., Fukui, JPN) ,  OHKAWARA Yoshiaki (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  OHKAWARA Yoshiaki (Ookawara Manufacturing, Gunma, JPN) ,  ITO Haruhiko (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  SAITOH Hidetoshi (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 6 Issue 1  ページ： 4700-4704  発行年： 2008年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電界放出を増強するために,アルミニウムドープした酸化亜鉛(ZnO:Al)の上部に酸化マグネシウム(MgO)を被覆した。強い二次電子放出を示す代表的材料にMgOの結晶形を用いた。凝集したMgO/ZnO:Alホイスカからなる放出体を用いて1000時間にわたり電子放出実験を行い,動作前後の放出部位画像を走査電子顕微鏡で比較した。またFowler-Nordheim図を示し,動作前後の放出部位の実効仕事関数及び電場増強因子の変化現象を説明した。最後にMgO/ZnO:Alホイスカ型電界放出体の電子放出モデルを論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電界放出 ,  *バンドギャップ ,  *ホイスカ ,  酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  酸化マグネシウム ,  被覆 ,  電子放出 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  仕事関数 ,  *ワイドバンドギャップ

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

引用文献 (23件)：

• Y. Ohkawara, T. Naijo, T. Washio, S. Ohshio, H. Ito, and H. Saitoh: Jpn. J. Appl. Phys. 40(2001) 7013.
• H. Saitoh, H. Akasaka, T. Washio, Y. Ohkawara, S. Ohshio, and H. Ito: Jpn. J. Appl. Phys. 41(2002) 6169.
• H. Saitoh, T. Washio, and S. Ohshio: Adv. Technol. Mater. Mater. Process. J. 6(2004) 47.
• T. Washio, Y. Ohkawara, S. Ohshio, H. Ito, and H. Saitoh: New Diamond Front. Carbon Technol. 12(2002) 157.
• H. Ito, Y. Kogure, S. Oki, and H. Saitoh: New Diamond Front. Carbon Technol. 16(2006) 255.

タイトルに関連する用語 (4件)： ホイスカ ,  低温 ,  放出 ,  ワイドバンドギャップ