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J-GLOBAL ID：200902220508309319   整理番号：04A0344069

負イオン注入法でSiO₂薄膜中に形成した金属ナノ粒子の状態と注入原子分布計算の関係

著者 (9件)： 辻博司 (京大 大学院) ,  洗暢俊 (京大 大学院) ,  松本卓也 (京大 大学院) ,  上野和也 (京大 大学院) ,  後藤直行 (京大 大学院) ,  足立浩一郎 (シャープ) ,  小滝浩 (シャープ) ,  後藤康仁 (京大 大学院) ,  石川順三 (京大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 51st  号： 2  ページ： 808  発行年： 2004年03月28日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *イオン注入 ,...

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分類 (1件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V)

タイトルに関連する用語 (8件)： イオン注入法 ,  SiO2 ,  薄膜 ,  金属ナノ粒子 ,  注入 ,  原子 ,  分布 ,  計算