1次元Mott絶縁体における両性電界効果キャリア注入の機構

YONEMITSU Kenji; YONEMITSU Kenji

文献

J-GLOBAL ID：200902220900596350 整理番号：05A0846810

1次元Mott絶縁体における両性電界効果キャリア注入の機構

Mechanism of Ambipolar Field-Effect Carrier Injections in One-Dimensional Mott Insulators

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資料名：
巻： 74 号： 9 ページ： 2544-2553 発行年： 2005年09月15日
JST資料番号： G0509A ISSN： 0031-9015 CODEN： JUPSA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

最近報告された,その上に電界効果トランジスタが形成された準1...

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金属-絶縁体-半導体構造

引用文献 (14件)：

1) S. M. Sze: <I>Physics of Semiconductor Devices</I> (John Wiley & Sons, New York, 1981) 2nd ed.
2) S. Heinze, J. Tersoff, R. Martel, V. Derycke, J. Appenzeller and Ph. Avouris: Phys. Rev. Lett. 89 (2002) 106801.
3) J. Appenzeller, J. Knoch, V. Derycke, R. Martel, S. Wind and Ph. Avouris: Phys. Rev. Lett. 89 (2002) 126801.
4) M. Radosavljevic, S. Heinze, J. Tersoff and Ph. Avouris: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 2435.
5) A. Javey, J. Guo, Q. Wang, M. Lundstrom and H. Dai: Nature 424 (2003) 654.

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