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J-GLOBAL ID：200902221111923130   整理番号：07A1056337

ペンタセン薄膜トランジスタにおける結晶ドメイン内の伝導度の揺らぎとその起源

Conductivity fluctuation within a crystalline domain and its origin in pentacene thin-film transistors
著者 (6件)：
OHASHI Noboru

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(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku ...)

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TOMII Hiroshi

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MATSUBARA Ryousuke

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(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku ...)

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SAKAI Masatoshi

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KUDO Kazuhiro

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NAKAMURA Masakazu

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資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

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巻： 91  号： 16  ページ： 162105-162105-3  発行年： 2007年10月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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多結晶ペンタセンの活性層を持つ薄膜トランジスタにおける表面ト...
シソーラス用語：
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