4.2KのSi(100)表面上のc(4×2)とp(2×2)の間の相操作

SAGISAKA K; FUJITA D; KIDO G

文献

J-GLOBAL ID：200902221481306246 整理番号：03A0761884

4.2KのSi(100)表面上のc(4×2)とp(2×2)の間の相操作

Phase Manipulation between c(4×2) and p(2×2) on the Si(100) Surface at 4.2K.

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巻： 91 号： 14 ページ： 146103.1-146103.4 発行年： 2003年10月03日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標題の2つの相の操作を走査型トンネル顕微鏡を使って行った。試...

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半導体の表面構造

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