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J-GLOBAL ID:200902221481306246   整理番号:03A0761884

4.2KのSi(100)表面上のc(4×2)とp(2×2)の間の相操作

Phase Manipulation between c(4×2) and p(2×2) on the Si(100) Surface at 4.2K.
著者 (3件):
資料名:
巻: 91  号: 14  ページ: 146103.1-146103.4  発行年: 2003年10月03日 
JST資料番号: H0070A  ISSN: 0031-9007  CODEN: PRLTAO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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標題の2つの相の操作を走査型トンネル顕微鏡を使って行った。試...
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半導体の表面構造 
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