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J-GLOBAL ID：200902221512030627   整理番号：05A0494625

炭素取り込みとc(4×4)ドメインの発達との間の対応の評価

Evaluation of the Correspondence between Carbon Incorporation and the Development of c(4×4) Domains

著者 (5件)： HARASHIMA Masayuki (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  YASUI Kanji (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  MORIYAMA Manabu (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  TAKATA Masasuke (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  AKAHANE Tadashi (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 4A  ページ： 1915-1918  発行年： 2005年04月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 昇温脱離(TPD)法と走査トンネル顕微鏡(STM)を用いて,...

シソーラス用語： 半導体 ,...
準シソーラス用語： TPD【脱着】 ,...

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分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

物質索引 (1件)： メチルシラン

引用文献 (16件)：

• 1) J. Tersoff: Phys. Rev. Lett. 74 (1995) 5080.
• 2) S. T. Jemander, H. M. Zhang, R. I. G. Uhrberg and G. V. Hansson: Mat. Sci. Eng. B 89 (2002) 415.
• 3) L. Simon, M. Stoffel, L. Kubler, L. Stauffer, A. Selloni, A. De Vita, R. Car, C. Pirri, G. Garreau, D. Aubel and J. L. Bischoff: Phys. Rev. B 64 (2001) 035306.
• 4) Y. Narita, T. Inubushi, K. Yasui and T. Akahane: Appl. Surf. Sci. 212–213 (2003) 730.
• 5) Y. Narita, T. Inubushi, M. Harashima, K. Yasui and T. Akahane: Appl. Surf. Sci. 216 (2003) 575.

タイトルに関連する用語 (5件)： 炭素 ,  取り込み ,  ドメイン ,  発達 ,  評価