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J-GLOBAL ID：200902222101508778   整理番号：08A0677848

エピタキシャル誘起歪みによるGaAsの梁共振器の共振特性の改善

Improved resonance characteristics of GaAs beam resonators by epitaxially induced strain

著者 (6件)： YAMAGUCHI H. (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  KATO K. (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  NAKAI Y. (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  ONOMITSU K. (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  WARISAWA S. (Univ. of Tokyo, Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  ISHIHARA S. (Univ. of Tokyo, Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 25  ページ： 251913  発行年： 2008年06月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 緩和したIn_0.1Ga_0,9/In_0.1Al_0.9As緩衝層上に成長させた歪んだGaAs膜を用いて微小機械的梁共振器を作製した。引張り歪みを印加することにより基本モードの自然周波数は2.5~4倍に増大し,梁に沿って0.35%の歪みを仮定するモデル計算とのよい一致を示した。さらに,最良の試料に対して19000のQ因子が得られた。これは歪みのない共鳴体に対するQ因子より1桁高い。共鳴体ベースの微小機械的デバイスの性能を向上させるためにこの技法を広く適用することができる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *梁 ,  *共振器 ,  エピタクシー ,  *バッファ層 ,  半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  ヒ化物
準シソーラス用語： 歪半導体 ,  ヒ化インジウムアルミニウム

分類 (1件)： 共振器  (NC04050Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： エピタキシャル ,  誘起 ,  歪み ,  GaAs ,  梁 ,  共振器 ,  共振特性