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J-GLOBAL ID：200902222251038621   整理番号：09A0755592

AFM/Kelvinプローブ法を使って評価したPtケイ化物ナノドットの帯電状態

Electron Charged States of Pt-silicide Nanodots as Evaluated by Using an AFM/Kelvin Probe Technique

著者 (6件)： MAKIHARA Katsunori (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  SHIMANOE Kazuhiro (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  IKEDA Mitsuhisa (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  OHTA Akio (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  HIGASHI Seiichiro (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  MIYAZAKI Seiichi (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
資料名： Transactions of the Materials Research Society of Japan  (Transactions of the Materials Research Society of Japan)
巻： 34  号： 2  ページ： 309-312  発行年： 2009年06月 
JST資料番号： L4468A  ISSN： 1382-3469  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ケイ化物 ,  *白金化合物 ,  ナノ構造 ,  *帯電 ,  原子間力顕微鏡 ,  力顕微鏡 ,  基板 ,  ケイ素 ,  酸化ケイ素 ,  エッチング ,  シラン ,  熱分解 ,  量子ドット ,  白金 ,  スパッタ蒸着 ,  水素 ,  プラズマ ,  表面構造 ,  価電子バンド ,  表面電位 ,  MOS構造 ,  記憶装置 ,  Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  *ナノドット ,  表面形態 ,  構造
準シソーラス用語： AFM【顕微鏡】 ,  メモリ

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

引用文献 (6件)：

• [1] Z. Liu, C. Lee, V. Narayanan, G. Pei and E. C. Kan, IEEE Trans. Electron Devices 49 (2002) 1606.
• [2] K. Makihara, K. Shimanoe, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 3099.
• [3] K. Shimanoe, K. Shimanoe, K. Makihara, M. Ikeda, R. Matsumoto, S. Higashi and S. Miyazaki, Proc. of 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, Hokkaido, 2008, pp. 77-80.
• [4] J. T. Mayer, R. F. Lin and E. Garfunkel, Surf. Sci. 265 (1992) 102.
• [5] S. Miyazaki, Y. Hamamoto, E. Yoshida, M. Ikeda and M. Hirose; Thin Solid Films 369 (2000) 55.

タイトルに関連する用語 (7件)： AFM ,  Kelvinプローブ ,  評価 ,  Pt ,  ケイ化物 ,  ナノドット ,  帯電