文献

J-GLOBAL ID：200902223016026809   整理番号：08A0007451

半導体の現状と展望

Fuji Electric’s Semiconductors: Current Status and Future Outlook

著者 (2件)： 藤平龍彦 (富士電機デバイステクノロジー 電子デバイス研) ,  重兼寿夫 (富士電機デバイステクノロジー)
資料名： 富士時報  (Fuji Electric Journal)
巻： 80  号： 6  ページ： 380-384  発行年： 2007年11月10日 
JST資料番号： F0080A  ISSN： 0367-3332  CODEN： FUJIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 地球環境保護,特にCO₂排出量の削減は...

シソーラス用語： *技術展望 ,...
準シソーラス用語： *省エネルギー ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (12件)：

• Intergovernmental Panel on Climate Change. Summary for Policymakers. Fourth Assessment Report.2007-06.
• Energy Information Administration, U. S. Department of Energy. International Energy Outlook 2007.2007-05.
• Onozawa, Y. et al. Development of the next generation 1, 200 V trench-gate FS-IGBT featuring lower EMI noise and lower switching loss. Proceedings of ISPSD’07.2007, p. 13-16.
• 西浦彰, 百田聖自. ハイブリッド車を支えるIGBT両面冷却で電流密度を向上. 日経エレクトロニクス.2007-11-19. 掲載予定.
• Nishimura, Y. et al. Investigations of all lead free IGBT module structure with low thermal resistance and high reliability. Proceedings of ISPSD’06.2006, p. 249-252.

タイトルに関連する用語 (2件)： 現状 ,  展望