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J-GLOBAL ID：200902223352535029   整理番号：08A0646245

SiO₂上のペンタセン多結晶膜における結晶ドメン境界の障壁高さとドメイン内移動度の解析

Analysis of barrier height at crystalline domain boundary and in-domain mobility in pentacene polycrystalline films on SiO₂

著者 (5件)： MATSUBARA Ryousuke (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Chiba Univ., Chiba 263-8522, JPN) ,  OHASHI Noboru (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Chiba Univ., Chiba 263-8522, JPN) ,  SAKAI Masatoshi (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Chiba Univ., Chiba 263-8522, JPN) ,  KUDO Kazuhiro (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Chiba Univ., Chiba 263-8522, JPN) ,  NAKAMURA Masakazu (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Chiba Univ., Chiba 263-8522, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 24  ページ： 242108  発行年： 2008年06月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂上の汎用ペンタセン多結晶膜におけるキャリア移動度の結晶ドメンサイズと温度依存性を,4端子プローブ電界効果トランジスタ測定によって調べた。移動度は結晶ドメインサイズに比例し,熱的に活性化されることが分かった。このような振舞いは拡散理論を用いた多結晶モデルによってよく説明でき,境界の障壁高さ並びにドメイン内の移動度は,各々,150meVおよび1.0cm²/Vsと計算された。ドメイン内の移動度は単結晶に比べて低く,ドメイン境界以外のキャリア輸送に対する制限因子の存在を示唆する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 二酸化ケイ素 ,  *多結晶 ,  *移動度 ,  *結晶粒界 ,  *温度依存性 ,  *キャリア移動度 ,  薄膜 ,  ポリアセン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (9件)： SiO2 ,  ペンタセン ,  多結晶 ,  結晶 ,  境界 ,  障壁高さ ,  ドメイン ,  移動度 ,  解析