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J-GLOBAL ID：200902223928697402   整理番号：05A0599394

Al₂O₃/Si₃N₄絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスターにおけるDCおよびRF特性

DC and RF Characteristics in Al₂O₃/Si₃N₄ Insulated-Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors

著者 (9件)： MAEDA Narihiko (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  MAKIMURA Takashi (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  MARUYAMA Takashi (NTT Advanced Technol. Corp., Kanagawa, JPN) ,  WANG Chengxin (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  HIROKI Masanobu (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  YOKOYAMA Haruki (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  MAKIMOTO Toshiki (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KOBAYASHI Takashi (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  ENOKI Takatomo (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 44  号： 20-23  ページ： L646-L648  発行年： 2005年06月10日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al₂O₃/Si...

シソーラス用語： 絶縁膜 ,...
準シソーラス用語： トランスコンダクタンス

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (15件)：

• 1) M. A. Khan, X. Hu, G. Simin, A. Lunev, J. Yang, R. Gaska and M. S. Shur: IEEE Electron Device Lett. 21 (2000) 63.
• 2) M. A. Khan, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska and M. S. Shur: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 1339.
• 3) X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. A. Khan, A. Tarakji, M. S. Shur and R. Gaska: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 2832.
• 4) E. M. Chumbes, J. A. Smart, T. Prunty and J. R. Shealy: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 416.
• 5) V. Adivarahan, M. Gaevski, W. H. Sun, H. Fatima, A. Koudymov, S. Saygi, G. Simin, J. Yang, M. A. Khan, A. Tarakji, M. S. Shur and R. Gaska: IEEE Electron Device Lett. 24 (2003) 541.

タイトルに関連する用語 (10件)： Al2O3 ,  Si3N4 ,  絶縁 ,  ゲート ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスター ,  DC ,  Rf