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J-GLOBAL ID：200902224664088808   整理番号：04A0874690

Pt/(Bi,La)₄Ti₃O₁₂/HfO₂/Si構造における5日寿命の強誘電記憶効果

Five-day-long ferroelectric memory effect in Pt/(Bi,La)₄Ti₃O₁₂/HfO₂/Si structures

著者 (3件)： PARK B-E (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  TAKAHASHI K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  ISHIWARA H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 85  号： 19  ページ： 4448-4450  発行年： 2004年11月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題の金属/強誘電半導体/絶縁体/半導体(MFIS)構造につ...

シソーラス用語： *複合材料 ,...
準シソーラス用語： MFIS

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： Pt ,  Bi ,  La ,  HfO2 ,  Si ,  寿命 ,  記憶効果