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J-GLOBAL ID：200902225297810786   整理番号：07A1007549

炭素熱還元窒化法による高輝度ZnドープGaN結晶の作製とCL特性

著者 (6件)： 大谷浩輝 (北大 大学院) ,  三浦章 (北大 大学院) ,  嶋田志郎 (北大 大学院) ,  関口隆史 (NIMS) ,  横山政昭 (堀場製作所) ,  溝淵文章 (住友精化)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 68th  号： 1  ページ： 392  発行年： 2007年09月04日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 窒化 ,...

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分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (9件)： 炭素熱還元 ,  窒化法 ,  高輝度 ,  Zn ,  ドープ ,  GaN ,  結晶 ,  作製 ,  Cl