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J-GLOBAL ID：200902225753926716   整理番号：03A0381307

単一電子トランジスタおよび金属-酸化物-半導体トランジスタの組合せによる多値論理およびメモリ

A Multiple-Valued Logic and Memory With Combined Single-Electron and Metal-Oxide-Semiconductor Transistors.

著者 (3件)： INOKAWA H (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUJIWARA A (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAKAHASHI Y (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 50  号： 2  ページ： 462-470  発行年： 2003年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大規模集積回路は主として2値論理に基いて発展してきており,立...

シソーラス用語： *論理回路 ,...

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分類 (1件)： 論理回路  (NC05070B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単一電子トランジスタ ,  酸化物 ,  トランジスタ ,  組合せ ,  多値論理