文献

J-GLOBAL ID：200902225871821635   整理番号：08A1243493

ペンタセン薄膜相の擬単結晶エピタクシー成長用ナノスケール配向鋳型としてのステップバンチのBi末端Si(111)表面

Step-bunched Bi-terminated Si(111) surfaces as a nanoscale orientation template for quasisingle crystalline epitaxial growth of thin film phase pentacene

著者 (9件)： SHIMADA Toshihiro (Dep. of Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN) ,  OHTOMO Manabu (Dep. of Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN) ,  SUZUKI Tadamasa (Dep. of Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN) ,  HASEGAWA Tetsuya (Dep. of Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN) ,  UENO Keiji (Dep. of Chemistry, Saitama Univ., Saitama 338-8570, JPN) ,  IKEDA Susumu (Dep. of Complexity Sciences and Engineering, The Univ. of Tokyo, Kashiwa 277-8561, JPN) ,  SAIKI Koichiro (Dep. of Complexity Sciences and Engineering, The Univ. of Tokyo, Kashiwa 277-8561, JPN) ,  SASAKI Miho (Rigaku Corp., 3-9-12 Matsubara-cho, Akishima, Tokyo 196-8666, JPN) ,  INABA Katsuhiko (Rigaku Corp., 3-9-12 Matsubara-cho, Akishima, Tokyo 196-8666, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 22  ページ： 223303  発行年： 2008年12月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペンタセン薄膜相の擬単結晶エピタクシー成長用ナノスケール配向鋳型を開発した。Si(111)のステップバンチの微斜面上の表面ダングリングボンドのα-3×3Biの末端を用いることにより,結晶軸を表面ステップに整列させてエピタクシーのペンタセン薄膜相を成長させた。ステップ高さが分子高さよりも高い時に整列が生じた。結晶エッジのエネルギーを計算することにより整列メカニズムを調べた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *有機半導体 ,  半導体薄膜 ,  *エピタクシー ,  ケイ素 ,  規模 ,  *鋳型効果 ,  *微斜面 ,  表面ステップ ,  アラインメント ,  ビスマス ,  金属薄膜 ,  RHEED ,  原子間力顕微鏡 ,  表面構造 ,  低速電子回折 ,  *蒸着膜 ,  ポリアセン ,  ナノスケール ,  構造
準シソーラス用語： 整列 ,  LEED

分類 (1件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (9件)： ペンタセン ,  薄膜 ,  単結晶エピタクシー ,  成長 ,  ナノスケール ,  配向 ,  鋳型 ,  Bi ,  Si