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J-GLOBAL ID：200902226282744295   整理番号：03A0538758

SiO₂上に形成したNb[110]障壁上のCu[111]層の構造解析

Structural Analyses of Cu[111] Layer on Nb[110] Barrier Formed on SiO₂

著者 (6件)： MANIRUZZAMAN M (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  TAKEYAMA M B (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  HAYASAKA Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  AOYAGI E (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHSUNA T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  NOYA A (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 103  号： 162(SDM2003 74-92)  ページ： 19-22  発行年： 2003年06月30日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れたエレクトロマイグレーション耐性をもつ相互接続として,[...

シソーラス用語： 拡散障壁 ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  X線回折法  (BK01020I)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiO2 ,  Nb ,  障壁 ,  Cu ,  層 ,  構造解析