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J-GLOBAL ID：200902226860247453   整理番号：09A0383905

(100)CaF₂と(100)SrTiO₃基板上に成長したエピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃厚膜の結晶構造と電気的性質の比較

Crystal structure and electrical property comparisons of epitaxial Pb(Zr,Ti)O₃ thick films grown on (100)CaF₂ and (100)SrTiO₃ substrates

著者 (7件)： FUJISAWA Takashi (Dep. of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Inst. of Technol., J2-1508, 4259 Nagatsuda-cho, Midori-ku ...) ,  NAKAKI Hiroshi (Dep. of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Inst. of Technol., J2-1508, 4259 Nagatsuda-cho, Midori-ku ...) ,  IKARIYAMA Rikyu (Dep. of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Inst. of Technol., J2-1508, 4259 Nagatsuda-cho, Midori-ku ...) ,  YAMADA Tomoaki (Dep. of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Inst. of Technol., J2-1508, 4259 Nagatsuda-cho, Midori-ku ...) ,  ISHIKAWA Mutsuo (Dep. of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Inst. of Technol., J2-1508, 4259 Nagatsuda-cho, Midori-ku ...) ,  MORIOKA Hitoshi (Dep. of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Inst. of Technol., J2-1508, 4259 Nagatsuda-cho, Midori-ku ...) ,  FUNAKUBO Hiroshi (Dep. of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Inst. of Technol., J2-1508, 4259 Nagatsuda-cho, Midori-ku ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 105  号： 6  ページ： 061614  発行年： 2009年03月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚さ2.0~3.0μmのエピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃(PZT)厚膜を,パルス金属有機化学蒸着法により,600°Cで(100)_cSrRuO₃∥(100)SrTiO₃および(100)_cSrRuO₃∥(100)LaNiO₃∥(100)基板上に成長させた。膜はすべて正方対称の(100)および/または(001)配向を示した。両方の基板上の膜について,蒸着温度からCurie温度までの熱ひずみ推算値と(100)と(001)配向混合中の(001)配向部の体積率に,ほぼ線形関係があることが判明した。その結果,完全に(001)配向した,つまり分極軸配向したPZT厚膜が,Zr/(Zr+Ti)比0.20から0.40までの範囲で,CaF₂上に得られた。その上,これら分極軸配向膜のa軸とc軸の格子定数およびそれらの比(c/a)は,粉末について報告されているデータとほぼ同じで,これらの膜に大きな歪は残存しないことを示唆した。CaF₂上の分極軸配向Pb(Zr_0.35Ti_0.65)O₃厚膜の比誘電率(ε_r)は1kHzで180であり,この値はSrTiO₃上の(100)/(001)配向厚膜の値より低いが,PZT単結晶のc軸についての理論計算値にほとんど一致する。極軸配向厚膜について十分に四角な形をし,よく飽和した分極電場ヒステリシスループが観測され,飽和分極と抗電場の値は,それぞれ74μC/cm²と64kV/cmであった。これらのデータは,極軸配向エピタキシャル厚膜の電気的性質が,PZT単結晶についての理論的予測によく似ていることを明瞭に示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  フッ化カルシウム ,  チタン酸ストロンチウム ,  基板 ,  *厚膜 ,  MOCVD ,  *結晶方位 ,  歪 ,  体積率 ,  *誘電率 ,  曲線 ,  誘電分極 ,  抗電場 ,  ストロンチウム化合物 ,  ルテニウム化合物 ,  酸素酸塩 ,  ニッケル酸塩 ,  ランタン化合物 ,  エピタクシー ,  ニッケル酸ランタン ,  ヒステリシスループ ,  ルテニウム酸ストロンチウム ,  熱歪
準シソーラス用語： *PZT【鉛化合物】 ,  金属有機化学蒸着法 ,  *結晶配向 ,  *比誘電率 ,  飽和分極

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (10件)： CaF2 ,  成長 ,  エピタキシャル ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  厚膜 ,  結晶構造 ,  電気的性質