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J-GLOBAL ID：200902227068074041   整理番号：09A1120314

非晶質12CaO・7Al₂O₃ガラスゲート絶縁体を有するSrTiO₃ベース電界効果トランジスタにおける場変調熱電能

Field-modulated thermopower in SrTiO₃-based field-effect transistors with amorphous 12CaO7Al₂O₃ glass gate insulator

著者 (7件)： OHTA Hiromichi (Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa, Nagoya 464-8603, Japan and PRESTO, Japan Sci. and ...) ,  MASUOKA Yumi (Toyota Central R&D Laboratories, Nagakute, Aichi-gun 480-1192, JPN) ,  ASAHI Ryoji (Toyota Central R&D Laboratories, Nagakute, Aichi-gun 480-1192, JPN) ,  KATO Takeharu (Japan Fine Ceramics Center, 2-4-1 Mutsuno, Atsuta, Nagoya 456-8587, JPN) ,  IKUHARA Yuichi (Japan Fine Ceramics Center, 2-4-1 Mutsuno, Atsuta, Nagoya 456-8587, JPN) ,  NOMURA Kenji (ERATO-SORST, Japan Sci. and Technol. Agency, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori, Yokohama 226-8503, JPN) ,  HOSONO Hideo (ERATO-SORST, Japan Sci. and Technol. Agency, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori, Yokohama 226-8503, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 95  号： 11  ページ： 113505  発行年： 2009年09月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶SrTiO₃ベース電界効果トランジスタ(FET)に関するトランジスタ特性及び場変調熱電能(S)を報告した。SrTiO₃-FETのゲート絶縁体として,150nm厚非晶質12CaO・7Al₂O₃がラスを使用した。得られたSrTiO₃-FETは,室温において優れたトランジスタ特性を示した:10⁶以上のオン-オフ電流比,+1.1Vのしきい値ゲート電圧,約0.3V decade^-1のサブしきい値スィング,及び2cm²V^-1s^-1の有効移動度。SrTiO₃-FETの場変調S値は,2MV cm^-1までの電場により,-900から-580μV K^-1まで変化した。このことは,熱電気材料の探求に関するFET構造の有効性を示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *チタン酸ストロンチウム ,  *単結晶 ,  *酸化カルシウム ,  *酸化アルミニウム ,  *ガラス ,  誘電体薄膜 ,  熱起電力 ,  移動度 ,  非晶質 ,  *ゲート絶縁膜 ,  *熱電能 ,  閾値電圧
準シソーラス用語： *ゲート絶縁体 ,  *場変調 ,  オンオフ比 ,  サブしきい値スィング

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 非晶質 ,  ガラス ,  ゲート絶縁体 ,  電界効果トランジスタ ,  場 ,  変調 ,  熱電能