文献

J-GLOBAL ID：200902227225800185   整理番号：08A0557498

有機溶媒系弗化水素を用いた高k/金属ゲートの電気腐食抑制

Galvanic Corrosion Suppression of High-κ/Metal Gates Using Organic Solvent-Based Hydrogen Fluoride

著者 (5件)： WATANABE Daisuke (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  AOKI Hidemitsu (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HOTTA Saori (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KIMURA Chiharu (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SUGINO Takashi (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 4 Issue 2  ページ： 2425-2427  発行年： 2008年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能で低待機電力の素子を実現するためには,≦45nm技術ノードでLSI素子に新しい金属ゲート材料と高k誘電体を集積する必要がある。高k除去に用いられる湿式工程はゲート電極の電気腐食を高める危険性がある。本研究ではゲート電極の金属と多結晶珪素の間の電気腐食を弗化水素有機溶媒を用いて調べた。弗化水素とイソプロピルアルコールの混合物を用いて,次世代素子製造用のウェーハプロセス前工程(FEOL)における高k/SiO₂に対して高い選択度で金属ゲートの腐食を抑制した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： LSI【IC】 ,  *ゲート【半導体】 ,  誘電体 ,  ポリシリコン ,  フッ化水素 ,  二酸化ケイ素 ,  有機溶媒 ,  *半導体プロセス ,  *電食 ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： *金属ゲート ,  *電気腐食

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： イソプロピルアルコール

引用文献 (7件)：

• D. Watanabe, H. Momota, T. Kezuka, T. Kanemura, M. Itano, D. Riley, and J. Barnett: Semiconductor Pure Water and Chemicals Conf. Proc., 2003, p. 117.
• Z. Zhang, S. C. Song, C. Huffman, M. M. Hussain, J. Barnett, N. Moumen, H. N. Alsharcef, P. Majhi, J. H. Sim, S. H. Bac, and B. H. Lee: Electrochem. Solid-State Lett.8(2005) G271.
• S. Garaud, R. Vos, P. Mertens, J. Fransaer, and S. D. Gendt: Ahstr. Ultra Clean Pure Processing of Silicon, 2006, p. 113.
• H. Kikuyama, M. Waki, I. Kawanabe, M. Miyashita, T. Yabune, N. Miki, J. Takano, and T. Ohmi: J. Electrochem. Soc.139(1992)2239.
• D. M. Knotter: J. Am. Chem. Soc.122(2000)4345.

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機溶媒 ,  弗化水素 ,  金属ゲート ,  電気腐食