Pd<sub>2</sub>Siフルシリサイドゲート形成プロセスと仕事関数変調

法沢公成; 佐野孝輔; 細井卓治; 芝原健太郎

文献

J-GLOBAL ID：200902227804234060 整理番号：05A0661550

Pd₂Siフルシリサイドゲート形成プロセスと仕事関数変調

Fabrication Process and Work Function Tuning in Fully Silicided Pd₂Si Gate

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=05A0661550&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0661550&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 105 号： 109(SDM2005 70-86) ページ： 91-94 発行年： 2005年06月03日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

Pdシリサイドを用いたフルシリサイドゲート形成と不純物添加に...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0661550&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}

トランジスタ , 固体デバイス製造技術一般 , その他の無機化合物の薄膜

引用文献 (5件)：

OHDOMARI, I. Low-temperature redistribution of As in Si during Ni silicide formation. J. Applied Physics. 1984, 56, 10, 2725-2728
佐野孝輔. 不純物パイルアップを用いたNiフルシリサイドゲート仕事関数変調. 第51回応用物理学関係連合講演会, March 2004. 2004
CABRAL, C. Jr. Dual Work-function Fully Silicided Metal Gates. VLSI Tech. Symp., 2003. 2003, 184-185
AIME, D. Work function tuning through dopant scanning and related effects in Ni fullysilicided gate for sub-45nm nodes CMOS. Technical Digest of IEEE Int. Electron Devices Meeting. 2004, 87-90
OHDOMARI, I. Low-temperature redistribution of As in Si during Pd2Si formation. Appl. Phys. Lett. 1981, 38, 12, 1015-1017

, ,

前のページに戻る

Pd2Siフルシリサイドゲート形成プロセスと仕事関数変調

Pd₂Siフルシリサイドゲート形成プロセスと仕事関数変調