文献
J-GLOBAL ID:200902227914379110   整理番号:09A0205015

光カーゲート法を用いたZnO薄膜の時間分解発光スペクトル:励起強度依存性

著者 (6件):
資料名:
巻: 17th  ページ: 229-232  発行年: 2006年 
JST資料番号: L3956A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
スパッタリング法で作製したZnO薄膜を高密度励起したときの発光スペクトルの動力学を極低温(10K)のKerrゲート時間分解分光法で調べた。このような半導体薄膜は励起子-励起子散乱発光(P発光)に加えて,励起子分子からの電子・正孔プラズマ発光も観測される。P発光の減衰時間は励起強度に依存し,フォトン型ポラリトンの寿命を反映することが分かった。また,有効温度の時間変化を反映するP発光ピークエネルギーの時間変化からは,励起子系の冷却過程を明確に観測された。電子・正孔プラズマ状態から励起子状態への動的変遷過程も明らかにした。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜  ,  半導体のルミネセンス  ,  励起子 

前のページに戻る