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J-GLOBAL ID：200902227960214435   整理番号：05A0214860

伝導原子間力顕微鏡法により特性評価したSi(111)上の長薄膜SiO₂中の不均一性

Nonuniformity in Ultrathin SiO₂ on Si(111) Characterized by Conductive Atomic Force Microscopy

著者 (4件)： HASUNUMA R (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  OKAMOTO J (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  TOKUDA N (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  YAMABE K (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43  号： 11B  ページ： 7861-7865  発行年： 2004年11月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 伝導原子間力顕微鏡法を用いて1.1nm厚さのSiO<sub>...

シソーラス用語： 原子間力顕微鏡 ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

引用文献 (21件)：

• 1) T. Tanamoto and A. Toriumi: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 1439.
• 2) S. J. O’shea, R. M. Atta, M. P. Murrell and M. E. Welland: J. Vac. Sci. & Technol. B <B>13</B> (1995) 1945.
• 3) R. Hasunuma, A. Ando, K. Miki and Y. Nishioka: Appl. Surf. Sci. 162–163 (2000) 547.
• 4) A. Ando, R. Hasunuma, T. Maeda, K. Sakamoto, K. Miki, Y. Nishioka and T. Sakamoto: Appl. Surf. Sci. 162–163 (2000) 401.
• 5) M. Murata, N. Tokuda, D. Hojo and K. Yamabe: Thin Solid Films 414 (2002) 56.

タイトルに関連する用語 (7件)： 伝導 ,  原子間力顕微鏡法 ,  特性評価 ,  Si ,  薄膜 ,  SiO2 ,  不均一性