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J-GLOBAL ID:200902227960214435   整理番号:05A0214860

伝導原子間力顕微鏡法により特性評価したSi(111)上の長薄膜SiO2中の不均一性

Nonuniformity in Ultrathin SiO2 on Si(111) Characterized by Conductive Atomic Force Microscopy
著者 (4件):
資料名:
巻: 43  号: 11B  ページ: 7861-7865  発行年: 2004年11月30日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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伝導原子間力顕微鏡法を用いて1.1nm厚さのSiO<sub>...
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分類 (2件):
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金属-絶縁体-半導体構造  ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般 
引用文献 (21件):
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