文献

J-GLOBAL ID：200902228148460380   整理番号：09A1030195

透明導電膜の現状と代替材料 透明導電膜の現状と将来

著者 (1件)： 尾山卓司 (旭硝子 中研)
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 60  号： 10  ページ： 616-621  発行年： 2009年10月01日 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ITOなどの透明導電膜の現状と将来に関して解説した。ITOを例としてバンド構造について説明した。透明導電膜の光学的性質のDrudeモデルによる導出について述べた。透明導電膜の電気伝導率に影響を及ぼす粒界散乱,フォノン散乱などの散乱過程を説明した。ITO,SnO₂:F,ZnO系などの代表的な透明導電膜材料について述べた。将来の動向として,資源の面から問題のあるInを用いないCd₂SnO₂,TiO₂:Nbなどの材料を紹介した。P型透明導電膜であるLaCuOSなどの層状オキシカルコゲナイト,デラフォサイト構造のCuAlO₂などの太陽電池への応用について述べた。

シソーラス用語： *酸化インジウムスズ ,  *透明導電膜 ,  酸化亜鉛 ,  酸化スズ ,  フッ素 ,  ドーピング ,  *バンド構造 ,  *電気伝導率 ,  結晶構造 ,  反射スペクトル ,  *光学ギャップ ,  状態密度 ,  酸化チタン ,  *化合物半導体
準シソーラス用語： *ITO

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y)

引用文献 (29件)：

• 1) H. Odaka, S. Iwata, N. Taga, S. Ohnishi, Y. Kaneta and Y. Shigesato ; Jpn. J. Appl. Phys., 36, 5551 (1997).
• 2) H. Odaka, Y. Shigesato, T. Murakami and S. Iwata ; Jpn. J. Appl. Phys., 40, .3231 (2001).
• 3) G. Frank and Kostllin ; Appl. Phys., A27, 197 (1982).
• 4) N. Yamada, I. Yasui, Y. Shigesato, H. Li, Y. Ujihira and K. Nomura ; Jpn. J. Appl. Phys., 39, 4158 (2000).
• 5) 水橋 衛;日本学術振興会第131委員会第1回薄膜スクール資料(1984).

タイトルに関連する用語 (4件)： 透明導電膜 ,  現状 ,  代替材料 ,  将来