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J-GLOBAL ID：200902228455374858   整理番号：09A0941109

電子サイクロトロン共鳴プラズマスパッタリングによって石英ガラス基板上に堆積した高伝導性アンドープZnO薄膜

Highly conductive, undoped ZnO thin films deposited by electron-cyclotron-resonance plasma sputtering on silica glass substrate

著者 (1件)： AKAZAWA Housei (NTT Microsystem Integration Laboratories, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 1  ページ： 22-26  発行年： 2009年11月02日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマスパッタリングによって,室温で堆積したアンドープZnO膜の電気的,光学的特性を特性化した。2.6×10^-3Ωcmの最も低い抵抗率,可視波長で85%以上の高い光透過率を達成した。X線回折の(002)ピークは弱く,ロッキングカーブは非対称であり,酸素空孔が原因で大きな結晶性ドメインを形成できないことを示した。アルゴンスパッタリングのガス圧力が低いと,キャリア濃度とHall移動度は,アルゴン圧力の増加に伴って増加した。しかしながら,最適な圧力(40mPa)を超えると,Hall移動度と光透過率は大幅に低下し,過剰なZn原子が網状の格子間で存在することを示した。堆積時のO₂ガスが0.67mPaであるときのみ,1MΩcmを超える抵抗率に悪化し,それは,ECRプラズマ中での高い励起効率に起因していた。堆積時の磁場が高いほど,低い抵抗率が生じた。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *スパッタ蒸着 ,  基板 ,  石英 ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *キャリア密度 ,  *Hall移動度 ,  圧力効果 ,  光透過 ,  サイクロトロン共鳴 ,  スパッタリング ,  ECRプラズマ ,  *電気抵抗率 ,  磁場効果 ,  プラズマ
準シソーラス用語： プラズマスパッタリング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  スパッタリング ,  石英ガラス基板 ,  堆積 ,  ZnO薄膜