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J-GLOBAL ID：200902229624597078   整理番号：09A0714556

FZ法により成長させたLaドープ六方BaTiO₃単結晶の誘電特性

Dielectric Properties of La Doped-Hexagonal BaTiO₃ Single Crystal Grown by FZ Method

著者 (6件)： NATSUI Hidesada (Tokyo Inst. of Technol.) ,  YU Jianding (Japan Aerospace Exploration Agency) ,  MASUNO Atsunobu (Univ. Tokyo) ,  ITOH Mitsuru (Tokyo Inst. of Technol.) ,  ODAWARA Osamu (Tokyo Inst. of Technol.) ,  YODA Shinichi (Tokyo Inst. of Technol.)
資料名： Ferroelectrics  (Ferroelectrics)
巻： 378  ページ： 195-199  発行年： 2009年04月 
JST資料番号： D0777A  ISSN： 0015-0193  CODEN： FEROA8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素不足の六方BaTiO₃はTi⁴⁺の一部がTi³⁺になり巨大誘電率を示すが,酸素不足が補償されると巨大誘電率が消失することが知られている。この六方BaTiO₃にLa(0.3~0.5%)をドープして酸素不足を補償すると,Ti⁴⁺の一部がTi³⁺になり巨大誘電率が保存されることが分かった。大気中でアニールしてもTi³⁺が残存して巨大誘電率を示す。0.5%ドープの試料について複素平面での誘電率を測定した結果,半導性挙動が観測された。これは電極界面でのSchottky障壁が優勢であることに起因している。

シソーラス用語： 六方晶系 ,  酸素欠乏 ,  *チタン酸バリウム ,  ドーピング ,  ランタン ,  *誘電率 ,  焼なまし ,  インピーダンス ,  複素数 ,  半導性 ,  Schottky障壁 ,  電極 ,  複素平面
準シソーラス用語： アニール ,  *巨大誘電率

分類 (1件)： 誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 成長 ,  LA ,  ドープ ,  BaTiO3 ,  単結晶 ,  誘電特性