交流変調モードにおけるプロトンポンピングゲートFET水素センサーの水素選択性

YAMAGUCHI Tomiharu; TAKISAWA Masanori; KIWA Toshihiko; YAMADA Hironobu; TSUKADA Keiji

文献

J-GLOBAL ID：200902229686416827 整理番号：09A0389727

交流変調モードにおけるプロトンポンピングゲートFET水素センサーの水素選択性

Hydrogen Selectivity of a Proton-Pumping Gate FET Hydrogen Sensor in an AC Modulation Mode

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資料名：
巻： 129 号： 4 ページ： 110-114 (J-STAGE) 発行年： 2009年
JST資料番号： L3098A ISSN： 1341-8939 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

三層ゲート構造(Pd/陽子導電性高分子/Pt)をもつプロトンポンピングゲートFET(PPG-FET)の,様々なガスに対する応答特性を調査した。PPG-FETのゲート電極間に交流バイアス電圧を印加したとき,PPG-FETから2種類の水素応答信号(DCおよびAC)が得られた。DC信号は,高い水素感度を示し,その感度は約-30mV/decadeであった。さらに,AC信号は,水素濃度が100ppmから10%増加するのに従って,10mV減少した。酸素濃度増加に従って,DC信号はわずかに増加するものの,酸素応答はDC水素感度に較べてはるかに小さかった。対照的に,AC信号は酸素には,ほとんど反応しなかった。これは,陽子導電性高分子層が酸素イオンの移動を阻止するためである。さらに,プロトンポンピングゲートFETは他のガス(メタン,エタン,アンモニア,およびメタノール)に対して良い選択性を示した。これらの結果は,交流変調モードにおけるPPG-FETの高い水素感度を明らかにしている。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ , 分析機器

引用文献 (15件)：

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