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J-GLOBAL ID：200902230436254196   整理番号：07A0157932

HfO2/窒化ゲルマニウム/ゲルマニウムの金属-絶縁体-半導体構造における窒化ゲルマニウム界面層の役割

Role of germanium nitride interfacial layers in HfO2/germanium nitride/germanium metal-insulator-semiconductor structures
著者 (4件)：
MAEDA Tatsuro

MAEDA Tatsuro について

(MIRAI Project, Advanced Semiconductor Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. ...)

MIRAI Project, Advanced Semiconductor Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. ... について

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NISHIZAWA Masayasu

NISHIZAWA Masayasu について

(MIRAI Project, Advanced Semiconductor Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. ...)

MIRAI Project, Advanced Semiconductor Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. ... について

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MORITA Yukinori

MORITA Yukinori について

(MIRAI Project, Advanced Semiconductor Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. ...)

MIRAI Project, Advanced Semiconductor Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. ... について

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TAKAGI Shinichi

TAKAGI Shinichi について

(MIRAI Project, ASRC-AIST, AIST Tsukuba West 7, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan and The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo ...)

MIRAI Project, ASRC-AIST, AIST Tsukuba West 7, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan and The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo ... について


資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 90  号： 7  ページ： 072911-072911-3  発行年： 2007年02月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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高κ絶縁体HfO2のゲルマニウム金属-...
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金属-絶縁体-半導体構造 
(BM03085X)

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,  その他の無機化合物の薄膜 
(BK14060A)

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窒化ゲルマニウム

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ゲルマニウム

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