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J-GLOBAL ID：200902230821220626   整理番号：05A0410985

4インチ直径シリコン上のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタにおけるAlNバッファ層厚による破壊電圧の増強

Enhancement of breakdown voltage by AlN buffer layer thickness in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on 4 in. diameter silicon

著者 (4件)： ARULKUMARAN S. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  EGAWA T. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  MATSUI S. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ISHIKAWA H. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 86  号： 12  ページ： 123503.1-123503.3  発行年： 2005年03月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直径4インチのSi上にMOCVDにより成長させたAlGaN...

シソーラス用語： *HEMT ,...
準シソーラス用語： 破壊電圧

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (10件)： 直径 ,  シリコン ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  AlN ,  バッファ ,  層厚 ,  破壊電圧 ,  増強