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J-GLOBAL ID:200902230821220626   整理番号:05A0410985

4インチ直径シリコン上のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタにおけるAlNバッファ層厚による破壊電圧の増強

Enhancement of breakdown voltage by AlN buffer layer thickness in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on 4 in. diameter silicon
著者 (4件):
資料名:
巻: 86  号: 12  ページ: 123503.1-123503.3  発行年: 2005年03月21日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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直径4インチのSi上にMOCVDにより成長させたAlGaN...
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分類 (2件):
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トランジスタ  ,  半導体薄膜 

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