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J-GLOBAL ID：200902231702633242   整理番号：05A0541035

引張歪と圧縮歪下のInGaAs-InAlAs多重量子井戸の吸収飽和エネルギー密度

Absorption Saturation Energy Density of InGaAs-InAlAs Multiple Quantum Well under Tensile and Compressive Strain

著者 (6件)： OKUNO Tsuyoshi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  MASUMOTO Yasuaki (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  HIGUCHI Akira (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  YOSHINO Hideo (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  BANDO Hiroyuki (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  OKAMOTO Hiroshi (Chiba Univ., Chiba, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 44  号： 16-19  ページ： L558-L560  発行年： 2005年05月10日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InP(100)基板上に分子ビームエピタクシー(MBE)で成...

シソーラス用語： *MBE成長 ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (11件)：

• 1) R. Takahashi, Y. Kawamura, T. Kagawa and H. Iwamura: Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 1790.
• 2) R. Takahashi, Y. Kawamura and H. Iwamura: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 153.
• 3) W. H. Knox, C. Hirlimann, D. A. B. Miller, J. Shah, D. S. Chemla and C. V. Shank: Phys. Rev. Lett. 56 (1986) 1191.
• 4) T. Okuno, Y. Masumoto, S. Kadono, S. Kitade, H. Bando and H. Okamoto: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L745.
• 5) T. Akiyama, N. Georgiev, T. Mozume, H. Yoshida, A. V. Gopal and O. Wada: IEEE Photon. Technol. Lett. 14 (2002) 495.

タイトルに関連する用語 (7件)： 引張歪 ,  圧縮歪 ,  InGaAs ,  InAlAs ,  多重量子井戸 ,  飽和 ,  エネルギー密度