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J-GLOBAL ID：200902232619265289   整理番号：08A1154423

極端紫外リソグラフィー用のMo/Si多層膜反射鏡の超伝導バルク磁石マグネトロンスパッタリングによる作製

Fabrication of Mo/Si multilayer mirrors for extreme ultraviolet lithography by means of superconducting bulk magnet magnetron sputtering

著者 (7件)： MIZUTANI U. (Toyota Physical and Chemical Res. Inst., Aichi, JPN) ,  YAMAGUCHI T. (Japan Sci. and Technol. Agency, Nagoya, JPN) ,  IKUTA H. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TOMOFUJI T. (Nikon Corp., Kanagawa, JPN) ,  YANAGI Y. (IMRA Material R&D Co., Ltd., Kariya, JPN) ,  ITOH Y. (IMRA Material R&D Co., Ltd., Kariya, JPN) ,  OKA T. (Niigata Univ., Niigata, JPN)
資料名： Advances in Superconductivity  (Advances in Superconductivity)
巻： 20th  ページ： 1456-1460  発行年： 2008年 
JST資料番号： L1458A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二陰極超伝導バルク磁石のマグネトロンスパッタリング装置を用いて,Mo/Si多層膜を作製した。多層膜は,表面粗さ0.1nmのSiウエハ上に,4.5nmの厚さのSi層と2.5nmの厚さのMo層を,40~50回を繰返し成膜することによって作製した。得られた多層膜の表面粗さは0.12nmである。透過型電子顕微鏡(TEM)によって調べたMo上のSi層とSi上のMo層の相互拡散層の厚さは,それぞれ0.5nmと1.5nmである。極端紫外(13.5nm)での反射率の理論計算値は70%である。しかし,垂直入射の反射率の測定値は67%である。この反射率の違いは,成膜の間に取り込まれた残留Xe原子の存在に起因する。

シソーラス用語： *モリブデン ,  *ケイ素 ,  金属薄膜 ,  半導体薄膜 ,  多層膜 ,  *薄膜成長 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  反射鏡 ,  *反射スペクトル ,  表面粗さ ,  相互拡散 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  Rutherford後方散乱 ,  フォトリソグラフィー ,  超伝導磁石 ,  反射率
準シソーラス用語： EUVリソグラフィー

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (10件)： 極端紫外 ,  リソグラフィー ,  Mo ,  Si ,  多層膜反射鏡 ,  伝導 ,  バルク ,  磁石 ,  マグネトロンスパッタリング ,  作製