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J-GLOBAL ID：200902232763160670   整理番号：09A0830441

GaAs(110)上のMn原子ワイヤの異方性半金属基底状態

Anisotropic half-metallic ground state of Mn atomic wire on GaAs(110)

著者 (3件)： HIRAYAMA Motoi (Dep. of Electronic-Engineering, The Univ. of Electro-Communications (UEC-Tokyo), 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo ...) ,  NATORI Akiko (Dep. of Electronic-Engineering, The Univ. of Electro-Communications (UEC-Tokyo), 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo ...) ,  NAKAMURA Jun (Dep. of Electronic-Engineering, The Univ. of Electro-Communications (UEC-Tokyo), 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 27  号： 4  ページ： 2062  発行年： 2009年07月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン密度汎関数理論に基づく第一原理計算を用いて,GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子ワイヤの磁気特性を研究した。Mn原子ワイヤは,<110>及び<001>方向に整列すると仮定した。<110>配向ワイヤは,<001>配向のものより安定しており,Mn原子当たり4.0μ_Bの磁気モーメントをもつ強磁性基底状態を示した。バンド構造は,ワイヤに沿って大きな分散をもち,半金属状態を示した。Mnワイヤの強磁性は,Mn-3dとGaAs表面との間のp-dハイブリダイゼーションを通した二重交換相互作用から生じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *マンガン ,  *ヒ化ガリウム ,  ガリウム ,  置換 ,  基底状態 ,  *強磁性 ,  磁気モーメント ,  *バンド構造 ,  *半金属 ,  配位混合 ,  密度汎関数法 ,  結晶方位 ,  *スピン分極
準シソーラス用語： スピン密度汎関数法 ,  *原子ワイヤ ,  第一原理計算 ,  二重交換相互作用

分類 (3件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属結晶の電子構造  (BM02050C)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  Mn ,  原子ワイヤ ,  異方性 ,  半金属 ,  基底状態